| 型号： | NESG7030M04-A | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | CEL | 描述： | DISCRETE RF DIODE |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) |
| NESG7030M04-A PDF |  |
| 特色产品 | NESG7030M04 Transistor |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 4.3V |
| 频率 - 转换 | 5.8GHz |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
| 增益 | 14dB ~ 21dB |
| 功率 - 最大 | 125mW |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 5mA，2V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 30mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | M04 |
| 包装 | 散装 |